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MRF282S分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF282S
廠商型號

MRF282S

參數(shù)屬性

MRF282S 封裝/外殼為NI-200S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200S

功能描述

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

封裝外殼

NI-200S

文件大小

142.3 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-13 17:35:00

MRF282S規(guī)格書詳情

The RF Sub–Micron MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (PEP)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 30

Intermodulation Distortion = –30 dBc

? Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts

Output Power = 10 Watts (CW)

Power Gain = 11 dB

Efficiency = 40

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? S–Parameter Characterization at High Bias Levels

? Excellent Thermal Stability

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts (CW) Output Power

? Gold Metallization for Improved Reliability

產品屬性

  • 產品編號:

    MRF282SR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2GHz

  • 增益:

    11.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-200S

  • 供應商器件封裝:

    NI-200S

  • 描述:

    FET RF 65V 2GHZ NI-200S

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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