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MRF553

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor DesignedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesintheVHFfrequencyrange. ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics OutputPower=1.5W MinimumGain=11.5dB Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackag

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF553

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF553

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF553

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIMRF553isdesignedforLowpoweramplifierapplications. FEATURES: ?12.5V,175MHz. ?POUT=1.5W ?GP=11.5min. ?η=60(Typ)

ASI

Advanced Semiconductor

MRF553

RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF553

包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 16V 175MHZ

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF553G

RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm

ADPOW

Advanced Power Technology

MRF553GT

Package：超大功率；包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MRF553T

Package：超大功率；包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MUR553

GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER

JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.

晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF553

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 頻率 - 躍遷：

    175MHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 250mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    500mA

  • 描述：

    RF TRANS NPN 16V 175MHZ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRF553供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 10:30:00

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