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MRF553	文件：94.19 Kbytes Page：6 Pages	RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON TheRFLine NPNSiliconRFLowPowerTransistor DesignedprimarilyforwidebandlargesignalpredriverstagesintheVHFfrequencyrange. ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics OutputPower=1.5W MinimumGain=11.5dB Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackag	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MRF553	文件：143.85 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF553	文件：231.99 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF553	文件：20.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF553isdesignedforLowpoweramplifierapplications. FEATURES: ?12.5V,175MHz. ?POUT=1.5W ?GP=11.5min. ?η=60(Typ)	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF553	文件：146.09 Kbytes Page：5 Pages	RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF553	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：帶類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 16V 175MHZ	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF553G	文件：146.09 Kbytes Page：5 Pages	RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheVHFfrequencyrange. Features ?Specified@12.5V,175MHzCharacteristics ?OutputPower=1.5W ?MinimumGain=11.5dB ?Efficiency60(Typ) ?CostEffectivePowerMacroPackage ?ElectrolessTinPlatedLeadsforIm	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF553GT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：帶封裝/外殼：超大功率類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF553T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：帶封裝/外殼：超大功率類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUR553	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
MUR553	文件：56.08 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
NCP553	文件：134.93 Kbytes Page：8 Pages	80mACMOSLowIqNOCAPVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCP553	文件：3.80862 Mbytes Page：4 Pages	AC-DCOfflineSwitchingControllers/Regulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCP553	文件：156.62 Kbytes Page：8 Pages	CMOSLowIqNOCAPVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCV553	文件：134.93 Kbytes Page：8 Pages	80mACMOSLowIqNOCAPVoltageRegulator	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCV553	文件：3.80862 Mbytes Page：4 Pages	AC-DCOfflineSwitchingControllers/Regulators	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTE553	文件：17.07 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiode Description: TheNTE553isasiliconschottkybarrierdiodeinaDO35stylepackageforuseinUHFandVHFswitchingapplications. AbsoluteMaximumRatings:(TA=+25°Cunlessotherwisespecified) ReverseVoltage,VR...................................	NTE NTE Electronics	NTE
P553	文件：817.6 Kbytes Page：2 Pages	NECLCD55LargeFormatDisplay	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
P553-MT	文件：639.09 Kbytes Page：2 Pages	NECLCD55LargeFormatTouchScreen	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
PIMXRT553SFAWXAR	文件：1.70218 Mbytes Page：119 Pages	i.MXRT500Low-PowerCrossoverProcessorDataSheetwithAddendum	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MRF553
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
16V
頻率 - 躍遷：
175MHz
增益：
11.5dB
功率 - 最大值：
3W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
500mA
描述：
RF TRANS NPN 16V 175MHZ

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