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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: ?LowNoise–2.5dB@500MHz ?Ftau–5.0GHz@10V,75mA ?CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：帶封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812R1	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812R2	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features ?LowNoise-2.5dB@500MHZ ?AssociatedGain=15.5dB@500MHz ?Ftau-5.0GHz@10v,75mA ?CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812GR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812GR2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812HC	文件：25.05 Kbytes Page：1 Pages	10AmpPlasticSiliconRectifier	NTE NTE Electronics	NTE
PT5812	文件：212.62 Kbytes Page：11 Pages	20AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
PT5812A	文件：202.22 Kbytes Page：11 Pages	20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
PT5812C	文件：202.22 Kbytes Page：11 Pages	20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
PT5812N	文件：202.22 Kbytes Page：11 Pages	20-A3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
S5812	文件：27.18 Kbytes Page：1 Pages	DIGITALAUDIODATATRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
S5812	文件：78.39 Kbytes Page：1 Pages	DIGITALAUDIODATATRANSFORMER	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
SM5812	文件：216.27 Kbytes Page：4 Pages	AmplifiedPressureSensor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
SZ5812	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MRF5812
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
頻率 - 躍遷：
5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MRF5812	ON(安森美)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	10442	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	MRF5812	MOT(仁懋)	2023+	N/A	4550	全新原裝正品	詢價(jià)
深圳市芯球通科技有限公司	MRF5812	ON(安森美)	23+		11115	公司只做原裝正品,假一賠十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	MRF5812	ON/ONSemiconductor/安森	24+	SOP-8	6201	新進(jìn)庫(kù)存/原裝	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	MRF5812	MOT	2339+	SOP8	5632	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	MRF5812	ON/安森美	22+	SOP-8	19800	原裝正品	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	MRF5812		MOT	SOP8	68900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	MRF5812	Microsemi Corporation	2022+	8-SOIC	38550	全新原裝支持表配單中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
深圳市順鑫晟科技有限公司	MRF5812	ON	2024+	SOP8	188600	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MRF5812	Microsemi Corporation	24+	8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多MRF5812供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 9:38:00

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