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MRF6S9060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MRF6S9060NBR1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-272BC 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 880MHZ TO-272-2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6S9060NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    21.4dB

  • 功率 - 輸出:

    14W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272-2

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-272-2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MRF6S9060NBR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 10:01:00