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MRF6S9125NR1

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S9125NR1

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

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RF Power Field Effect Transistors

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飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6S9125NR1

Package:TO-270AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

NXP USA Inc.

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MRF6S9125NR1_06

RF Power Field Effect Transistors

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飛思卡爾飛思卡爾半導體

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N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicati

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6S9125NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    20.2dB

  • 功率 - 輸出:

    27W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6S9125NR1供應商 更新時間2025-2-3 16:04:00