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MRF7S18170HSR3

RF Power Field Effect Transistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to 1880MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. ?TypicalSingle--Ca

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF7S18170HSR3

RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S18170HSR3

Package：NI-880S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF7S18170HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.81GHz

  • 增益：

    17.5dB

  • 功率 - 輸出：

    50W

  • 封裝/外殼：

    NI-880S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-880S

  • 描述：

    FET RF 65V 1.81GHZ NI-880S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE原現(xiàn)
2138+
NI-880S
6900
詢價
FREESCALE
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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FREESCALE原現(xiàn)
NI-880S
23+
6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
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2020+
NI-880S
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多MRF7S18170HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-2-7 15:47:00

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