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MRF7S21210HSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2110--2170MHz,63WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S21210HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

2110--2170MHz,63WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S21210HSR3

Package:NI-780S;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF7S21210HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 功率 - 輸出:

    63W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF7S21210HSR3供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 16:04:00