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MRF7S21210HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

2110--2170MHz,63WAVG.,28VSINGLEW--CDMALATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. ?TypicalSingle--CarrierW--CDMAP

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S21210HR3

Package：SOT-957A；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-780

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF7S21210HR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.17GHz

  • 增益：

    18.5dB

  • 功率 - 輸出：

    63W

  • 封裝/外殼：

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780H-2L

  • 描述：

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-780

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MRF7S21210HR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 16:20:00

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