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MRF8P29300HSR6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF8P29300HSR6
廠商型號(hào)

MRF8P29300HSR6

參數(shù)屬性

MRF8P29300HSR6 封裝/外殼為NI-1230S;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-1230S

文件大小

1.07325 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF8P29300HSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.9GHz

  • 增益:

    13.3dB

  • 功率 - 輸出:

    320W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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