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MRF8S7170N中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF8S7170N
廠商型號

MRF8S7170N

參數(shù)屬性

MRF8S7170N 封裝/外殼為OM-780-2;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 70V 748MHZ OM780-2

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

341.75 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-18 11:10:00

MRF8S7170N規(guī)格書詳情

728-768 MHz, 50 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

? Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1200 mA, Pout = 50 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 748 MHz, 170 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness

? Typical Pout @ 1 dB Compression Point 182 Watts CW

Features

? 100 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters and Common Source S-Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF8S7170NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    748MHz

  • 增益:

    19.5dB

  • 功率 - 輸出:

    50W

  • 封裝/外殼:

    OM-780-2

  • 供應商器件封裝:

    OM-780-2

  • 描述:

    FET RF 70V 748MHZ OM780-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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