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MRF6S9060NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge-signal,common-sourceamplifierapplicatio

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S9060NBR1

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

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更多MRFE6S9060NBR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 17:14:00

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