MS1008分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS1008 |
| 參數(shù)屬性 | MS1008 封裝/外殼為M164；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M164 |
| 文件大小 |
185.84 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-28 10:20:00 |
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MS1008規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS1008 is a 50V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.
Features
? 30 MHz
? 50 VOLTS
? IMD = –30 dB
? POUT = 150 WATTS
? GP = 14 dB MINIMUM
? COMMON EMITTER CONFIGURATION
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MS1008
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
233W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 1.4A，6V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
10A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M164
- 供應(yīng)商器件封裝：
M164
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
QFP44 |
150 |
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