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MS2361	文件：87 Kbytes Page：3 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MS2361	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：M115 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MZ2361	文件：104.68 Kbytes Page：2 Pages	MECHANICALCHARACTERISTICS DESCRIPTION/FEATURES □HermeticallySealedGlassPackages(DO-35) □HighReverseBreakdownandLowLeakage □ExcellentLowVoltageRegulation □ControlledStoredCharge □PlanarPassivatedDieElements APPLICATION Theseaxialleaddiodesrepresentconfigurationsofonetofour*p-njunctio	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MZ2361	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	AXIALLEADDIODES STABISTORSAlsoTightTolerance(AXIALLEADDIODES)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE2361	文件：22.67 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsHighSpeedSwitch HighSpeedSwitch Description: TheNTE2361(NPN)andNTE2362(PNP)complimentarysilicontransistorsaredesignedforgeneral–purposeamplifierandhighspeedswitchingapplications.Thehighgainofthesedevicesmakesitpossibleforthemtobedrivendirectlyfromintegratedcircuits.	NTE NTE Electronics	NTE
PP2361	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
RF2361	文件：149.65 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2361isalownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifierorpoweramplifierdriveramplifierinthetransmitchainofdigitalsubscriberunitswherelowt	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361	文件：181.42 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361	文件：292.2 Kbytes Page：14 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-D	文件：292.2 Kbytes Page：14 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-D	文件：181.42 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-D	文件：149.65 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2361isalownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifierorpoweramplifierdriveramplifierinthetransmitchainofdigitalsubscriberunitswherelowt	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-L	文件：149.65 Kbytes Page：10 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2361isalownoiseamplifierwithaveryhighdynamicrangedesignedfordigitalcellularapplications.Thedevicefunctionsasanoutstandingfrontendlownoiseamplifierorpoweramplifierdriveramplifierinthetransmitchainofdigitalsubscriberunitswherelowt	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-L	文件：181.42 Kbytes Page：12 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2361PCBA-L	文件：292.2 Kbytes Page：14 Pages	3VLOWNOISEAMPLIFIER/3VPADRIVERAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SMG2361P	文件：450.64 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMG2361P	文件：1.12685 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?IsolatedPackage ?HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) ?SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm ?P-Channel ?175°COperatingTemperature ?DynamicdV/dtRating ?LowThermalResistance ?Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SQ2361AEES	文件：244.65 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel30V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQ2361AEES	文件：280.23 Kbytes Page：11 Pages	AutomotiveP-Channel60V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQ2361AEES	文件：242.14 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveP-Channel80V(D-S)175?CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MS2361
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
頻率 - 躍遷：
1.025GHz ~ 1.15GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
87.5W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2.6A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座安裝
封裝/外殼：
M115
供應(yīng)商器件封裝：
M115
描述：
RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
瀚佳科技(深圳)有限公司	MS2361	MICROSEMI	19+		38520	一級代理/放心購買	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	MS2361	MSC	2021+	20	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
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深圳市宏捷佳電子科技有限公司	MS2361	Microsemi Corporation	24+	M115	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價
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更多MS2361供應(yīng)商更新時間2024-12-23 10:18:00

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