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MT41J64M16集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

MT41J64M16
廠商型號

MT41J64M16

參數(shù)屬性

MT41J64M16 封裝/外殼為96-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

功能描述

DDR3 SDRAM MT41J256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT41J128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT41J64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks

封裝外殼

96-TFBGA

文件大小

2.93817 Mbytes

頁面數(shù)量

214

生產(chǎn)廠商 Micron Technology
企業(yè)簡稱

Micron鎂光

中文名稱

美國鎂光科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 16:05:00

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MT41J64M16規(guī)格書詳情

MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks

MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks

MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

DDR3 SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT41J64M16JT-125

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3

  • 存儲容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    96-FBGA(8x14)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA

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