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NDF10N60Z

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDF10N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET600V,0.75Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZG

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NDF10N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET600V,0.75Ohm

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF10N60ZH

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

NDP10N60Z

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDP10N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NDP10N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET0.65??600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB10N60FG

N-ChannelIGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NJ10N60

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ10N60-BL

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ10N60F-LI

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ10N60-LI

10A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

P10N60

HighSpeed2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

P10N60CA

10A,600VN-CHANNELMOSFET

GENERALDESCRIPTION SVFP10N60CAFJ/FJHisanN-channelenhancementmodepower MOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistan

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-220
6000
終端可免費供樣,支持BOM配單
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只做原裝現(xiàn)貨
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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ON/安森美
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更多MTP10N60E供應商 更新時間2025-1-15 10:00:00