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MTP23P06V

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP23P06V

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP23P06V

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP23P06VG

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTP23P06VG

Power MOSFET 23 Amps, 60 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB23P06E

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB23P06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTB23P06V

P??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB23P06V

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTP23P06

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 23A P-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON/安森美
17+
TO-2203LEADSTANDARD
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢(xún)價(jià)
ON(安森美)
23+
TO-220-3
14606
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢(xún)價(jià)
24+
N/A
5000
公司存貨
 詢(xún)價(jià)
ON
23+
TO-220
6893
詢(xún)價(jià)
ON
17+
TO220
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
MOT
06+
TO-220
3000
原裝庫(kù)存
 詢(xún)價(jià)
ON
2020+
TO-220
4500
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢(xún)價(jià)
ON
19+
TO-220
86190
原廠(chǎng)代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠(chǎng)；
 詢(xún)價(jià)
ON
23+
TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢(xún)價(jià)
MOT
22+23+
TO-220
15437
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多MTP23P06供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 14:00:00

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