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MTP4N50E	文件：254.61 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP4N50E	文件：171.5 Kbytes Page：2 Pages	High Energy Power FET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTP4N50E	文件：261.48 Kbytes Page：10 Pages	High Energy Power FET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MTP4N50E	文件：1.05261 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 600V (D-S)Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
4N50	文件：183.98 Kbytes Page：6 Pages	4A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
4N50	文件：171.71 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
4N50	文件：67.85 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDT4N50NZU	文件：213.53 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET-Power,N-Channel,UniFETII,UltraFRFET500V,2A,3 Description UniFETIIMOSFETisONSemiconductor’shighvoltage MOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOS technology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston?state resistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperior switchingperformanceandhigheravalancheen	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FQB4N50	文件：749.07 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features ?3.4A,500V,RDS(on)=2.7?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical10nC) ?LowCrss(typical6.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD4N50	文件：305.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQD4N50	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD4N50	文件：743.57 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQI4N50	文件：749.07 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Features ?3.4A,500V,RDS(on)=2.7?@VGS=10V ?Lowgatecharge(typical10nC) ?LowCrss(typical6.0pF) ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP4N50	文件：302.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQP4N50	文件：733.84 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF4N50	文件：731.03 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU4N50	文件：330.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQU4N50	文件：743.57 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU4N50	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU4N50TU	文件：850.39 Kbytes Page：9 Pages	100avalanchetested,RoHSCompliant	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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詳細參數(shù)

型號：
MTP4N50E
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 500 VOLTS RDSon = 1.5 OHMS

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	MTP4N50E	ON	24+	N/A	2510		詢價
深圳市星佑電子有限公司	MTP4N50E	MOT	06+	TO-220	3000	原裝庫存	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	MTP4N50E	ON	23+	TO-220	6893		詢價
深圳市振宏微科技有限公司	MTP4N50E	MOT	23+	NA	3486	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
上海市鑫鴻達電子	MTP4N50E	ON/安森美	2022+		2776	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	MTP4N50E	O	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	MTP4N50E	VBsemi	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	MTP4N50E	VBSEMI/臺灣微碧	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市吉銀科技有限公司	MTP4N50E	ON(安森美)			6000		詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MTP4N50E	MOTOROLA/摩托羅拉	2022+	TO-220	12888	原廠代理終端免費提供樣品	詢價

更多MTP4N50E供應商更新時間2024-12-22 16:00:00

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