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MTP60N06

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP60N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP60N06HD

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP60N06HD

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTP60N06HD

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NP60N06MLK

60V??60A??N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06MLK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06MLKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=8.1m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PDK

60V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description NP60N06PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance ?RDS(on)1=7.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2400pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PDK

N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP60N06PLK

60V??60A??N-channelPowerMOSFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTP60N06

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MTP60N06供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 19:10:00

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