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MTY14N100E中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MTY14N100E
廠商型號(hào)

MTY14N100E

功能描述

TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM

文件大小

232.76 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-27 9:48:00

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MTY14N100E規(guī)格書詳情

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, PWM motor controls, and other inductive loads. The avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

? Avalanche Energy Specified

? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTY14N100E

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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