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NAND01GW3B2AN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

NAND01GW3B2AN6E

包裝:管件 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

NAND01GW3B2AN6F

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NAND01GW3B2AN6

  • 功能描述:

    閃存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲類型:

    Flash

  • 存儲容量:

    2 MB

  • 結構:

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STM
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更多NAND01GW3B2AN6供應商 更新時間2025-1-4 13:30:00