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NAND01GW3B2AN6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

NAND01GW3B2AN6E參考圖片

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原廠料號：NAND01GW3B2AN6E品牌：ST

只做進(jìn)口原裝QQ:373621633

NAND01GW3B2AN6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TSSOP/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND01GW3B2AN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    NAND01GW3B2AN6E

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    閃存 2.7-3.6V 1G(128Mx8)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND01GW3B2AN6E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    30ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13332916726

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83209217

  • 傳真：

    0755-83209217

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華西路華康大廈二棟603室/柜臺地址:華強廣場Q2C022/工廠地址:寶安華豐工業(yè)區(qū)A棟7樓

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