訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NAND01GW3B2BZA6E>芯片詳情
NAND01GW3B2BZA6 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產品參考屬性
- 類型
描述
- 產品編號:
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術:
閃存 - NAND
- 存儲容量:
1Gb(128M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
30ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應商器件封裝:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供應商
- 企業(yè):
深圳市匯萊威科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機:
18126328660
- 詢價:
- 電話:
0755-82767689
- 地址:
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503
相近型號
- NAND01GW3B2AZ
- NAND01GW3B2CZA6E
- NAND01GW3B2AN6F
- NAND01GW3B2CZA6F
- NAND01GW3B2AN6E
- NAND02GAH0IZC5E
- NAND01GW382CZA6
- NAND02GAH0LZC5E
- NAND01GR3B2CZA6F
- NAND02GR3B2CZA6
- NAND01GR3B2CZA6EIC
- NAND02GR3B2CZA6E
- NAND01GR3B2CZA6E
- NAND02GR3B2CZA6F
- NAND01GR3B2CZA6
- NAND02GR3B2DN6E
- NAND01GR3B2CZ
- NAND02GR3B2DZA6
- NAND01GR3B2BZA6E
- NAND02GR3B2DZA6E
- NAND01GR3B2BZA6
- NAND02GR3B2DZA6F
- NAND01GR3B2BEA6
- NAND02GW3B2DN6
- NAND01GR3B2
- NAND02GW3B2DN6E
- NAND016GW3C4BN6
- NAND02GW3B2DN6F
- NAN0SMDC075F-2
- NAND02GW3B2DZA6
- NAN0SMDC050F
- NAND02GW3B2DZA6E
- NAN0110SC2BN
- NAND02GW3B2DZA6F
- NAN0100KE3BN
- NAND04GW3B2DN6
- NAM12S06-D
- NAND04GW3B2DN6E
- NAM12S06-B
- NAND04GW3B2DN6F
- NAM12S06-A
- NAND04GW3C2AN1E
- NAM-04-000
- NAND04GW3C2BN6E
- NAM03S06-D
- NAND08GAH0BZA5E
- NAM03S06-B
- NAND08GAH0FZC5E
- NAM03S06-A
- NAND08GAH0JZC5E