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NDD05N50Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDD05N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 ?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDD05N50Z-1G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NDD05N50Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 500V 5A 1.2OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
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進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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更多NDD05N50Z-1供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 10:02:00