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NT2955G	文件：985.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NT2955G	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NT2955G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P??hannelDPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NT2955G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD2955	文件：388.34 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features AvalancheEnergySpecified IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature DesignedforLow?Voltage,High?SpeedSwitchingApplicationsand toWithstandHighEnergyintheAvalancheandCommutationModes RDS(on)150m?(VGS=-10V) VDS(V)=-60V ID=-12A(VGS=-10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
NTD2955	文件：260.2 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD2955	文件：747.7 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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NTD2955G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P??hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTD2955G	文件：987.84 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NTD2955P	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P??hannelDPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多NDT2955IC供應(yīng)商更新時間2025-1-14 14:50:00

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