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NE4210S01-T1	文件：252.15 Kbytes Page：7 Pages	SUPER LOW NOISE HJ FET DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown	CEL California Eastern Labs	CEL
NE4210S01-T1	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES ?SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE4210S01-T1B	文件：65.23 Kbytes Page：16 Pages	X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES ?SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGainNF=0.5dBT	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
NE4210S01-T1B	文件：252.15 Kbytes Page：7 Pages	SUPER LOW NOISE HJ FET DESCRIPTION NECSNE4210S01isapseudomorphicHetero-JunctionFETthatusesthejunctionbetweenSi-dopedAIGaAsandundopedInGaAstocreateveryhighmobilityelectrons.ThedevicefeaturesmushroomshapedTiAlgatesfordecreasedgateresistanceandimprovedpowerhandling.Itsexcellentlown	CEL California Eastern Labs	CEL
NE4210S01-T1B	文件：199.83 Kbytes Page：18 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNE4210S01isaHeteroJunctionFETthatutilizestheheterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.ItsexcellentlownoiseandassociatedgainmakeitsuitableforDBSandanothercommercialsystems. FEATURES ?SuperLowNoiseFigure&HighAssociatedGain NF=0.5dBTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE4211M01	文件：206.81 Kbytes Page：10 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ?Superlownoisefigure&associatedgain: NF=0.75TYP.,Ga=12dBTYP.@f=12GHz NF=0.4TYP.,Ga=16dBTYP.@f=4GHz ?6-pinsuperminimoldpackage ?Gatewidth:Wg=160mm	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE4211M01-T1	文件：206.81 Kbytes Page：10 Pages	Marking：V74；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ?Superlownoisefigure&associatedgain: NF=0.75TYP.,Ga=12dBTYP.@f=12GHz NF=0.4TYP.,Ga=16dBTYP.@f=4GHz ?6-pinsuperminimoldpackage ?Gatewidth:Wg=160mm	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE42484A	文件：189 Kbytes Page：12 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR CtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIER N-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE42484AisaHeteroJunctionFETthatutilizesthe heterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellent lownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforDBS, TVROandanothercommercialsystems. FE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE42484A-SL	文件：189 Kbytes Page：12 Pages	Marking：M；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR CtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIER N-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE42484AisaHeteroJunctionFETthatutilizesthe heterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellent lownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforDBS, TVROandanothercommercialsystems. FE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NE42484A-T1	文件：189 Kbytes Page：12 Pages	Marking：M；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR CtoKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIER N-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION TheNE42484AisaHeteroJunctionFETthatutilizesthe heterojunctiontocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellent lownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforDBS, TVROandanothercommercialsystems. FE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
NE4
制造商：
Essentra Components
類別：
電纜，電線 - 管理 > 電纜支撐與緊固件
系列：
Richco
包裝：
散裝
類型：
線夾，P 型
開口尺寸：
0.250"（6.35mm）
安裝類型：
緊固件
材料：
鋁
顏色：
黑色，銀色
寬度：
0.375"（9.53mm）
面板孔尺寸：
0.204"（5.18mm）
材料厚度：
0.031"（0.80mm）
特性：
保護(hù)涂層
描述：
CBL CLAMP P-TYPE FASTENER

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