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NE5550979A-T1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE5550979A-T1 |
| 參數(shù)屬性 | NE5550979A-T1 封裝/外殼為79A；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
| 功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
| 封裝外殼 | 79A |
| 文件大小 |
784.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NE5550979A-T1-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
900MHz
- 增益：
22dB
- 額定電流（安培）：
3A
- 功率 - 輸出：
38.6dBm
- 封裝/外殼：
79A
- 供應商器件封裝：
79A
- 描述：
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
7350 |
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詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
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RENESAS |
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PHI/S |
24+ |
DIP16 |
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TI/TEXAS |
23+ |
DIP8SOP8 |
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詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
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79A |
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