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NE5550979A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE5550979A-T1
廠商型號(hào)

NE5550979A-T1

參數(shù)屬性

NE5550979A-T1 封裝/外殼為79A;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

功能描述

Silicon Power LDMOS FET
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

封裝外殼

79A

文件大小

1.15258 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

CEL

中文名稱(chēng)

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-14 13:27:00

NE5550979A-T1規(guī)格書(shū)詳情

NE5550979A-T1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE5550979A-T1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE5550979A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    22dB

  • 額定電流(安培):

    3A

  • 功率 - 輸出:

    38.6dBm

  • 封裝/外殼:

    79A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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