NE6500496中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE6500496 |
| 功能描述 | GaAs MES FET |
| 文件大小 |
196.42 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-25 14:39:00 |
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NE6500496規(guī)格書詳情
4 W L, S-BAND POWER GaAs FET
N-CHANNEL GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE6500496 is power GaAs FET which provides high
gain, high efficiency and high output power in L, S band.
To reduce thermal resistance, the device has a PHS
(Plated Heat Sink) structure.
FEATURES
? Class A operation
? High output power: 36 dBm (typ)
? High gain: 11.5 dB (typ)
? High power added efficiency: 45 (typ)
? Hermetically sealed ceramic package
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE6500496
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2138+ |
8960 |
專營(yíng)BGA,QFP原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
CEL |
22+ |
3M |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
原裝 |
1923+ |
原廠封裝 |
8600 |
萊克訊原廠貨源每一片都來(lái)自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
265 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
PHI |
24+ |
QFP-100 |
3378 |
絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨供應(yīng)!價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NEC |
95+ |
6000 |
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
NEC |
24+ |
3M |
5825 |
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存! |
詢價(jià) | ||
24+ |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||||
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
詢價(jià) | |||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) |
