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NE651R479A-T1-A 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 CEL

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  • 廠家型號：

    NE651R479A-T1-A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    CEL

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    4-SMD 扁平引線

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-24 14:14:00

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原廠料號：NE651R479A-T1-A品牌：CEL

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NE651R479A-T1-A是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝4-SMD 扁平引線/4-SMD，扁平引線的NE651R479A-T1-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    NE651R479A-T1-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    501.77 kb

  • 資料說明：

    MEDIUM POWER GaAs HJ-FET

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE651R479A-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    1.9GHz

  • 增益：

    12dB

  • 額定電流（安培）：

    1A

  • 功率 - 輸出：

    27dBm

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    79A

  • 描述：

    FET RF 8V 1.9GHZ 79A

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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