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NE66219-T1-A中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE66219-T1-A
廠商型號(hào)

NE66219-T1-A

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ? HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG)

文件大小

329.12 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-24 9:07:00

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NE66219-T1-A規(guī)格書詳情

FEATURES

? Suitable for high-frequency oscillation

? fT = 25 GHz technology adopted

? 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE66219-T1-A

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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