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NE85633-T1B-A 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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原廠料號：NE85633-T1B-A品牌：CEL

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NE85633-T1B-A是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝原廠原包/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NE85633-T1B-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    NE85633-T1B-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    26 頁

  • 文件大?。?/span>

    831.88 kb

  • 資料說明：

    NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE85633-T1B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    11.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市永貝爾科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳麗潔

  • 手機：

    13421387025

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83253883

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場68樓6811A

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