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NE856M02-T1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 NEC/瑞薩

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  • 廠家型號(hào)：

    NE856M02-T1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NEC/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    78800

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-89-3

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+25+/26+27+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-26 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NE856M02-T1品牌：NEC-日本電氣

一一有問(wèn)必回一特殊渠道一有長(zhǎng)期訂貨一備貨HK倉(cāng)庫(kù)

  • 芯片型號(hào)：

    NE856M02-T1

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NEC【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Electronics America

  • 中文名稱：

    日本瑞薩電子株式會(huì)社

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    63.04 kb

  • 資料說(shuō)明：

    NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE856M02-T1-AZ

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    6.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    1.2W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13147005145

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    131-4700-5145

  • 傳真：

    075583040836

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室

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