NE856M02-T1-AZ 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

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廠家型號：
NE856M02-T1-AZ
產品分類：
芯片
生產廠商：
CEL
庫存數(shù)量：
9350
產品封裝：
TO-243AA
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-17 14:08:00

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原廠料號：NE856M02-T1-AZ品牌：CEL

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NE856M02-T1-AZ是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產封裝TO-243AA的NE856M02-T1-AZ晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
NE856M02-T1-AZ
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
CEL詳情
廠商全稱：
California Eastern Labs
內容頁數(shù)：
8 頁
文件大?。?/span>
206.93 kb
資料說明：
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NE856M02-T1-AZ
制造商：
CEL
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
托盤
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
6.5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
1.2W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-243AA
供應商器件封裝：
SOT-89
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

NE856M02-T1-AZ 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NE856M02-T1-AZ

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