首頁>NE85639R-T1-A>芯片詳情

NE85639R-T1-A 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 CEL

NE85639R-T1-A參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NE85639R-T1-A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    CEL/California Eastern Labs

  • 庫存數(shù)量：

    9350

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-143R

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-6 15:02:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE85639R-T1-A品牌：CEL

獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證

NE85639R-T1-A是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝SOT-143R的NE85639R-T1-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    NE85639R-T1-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說明：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE85639R-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-143R

  • 供應商器件封裝：

    SOT-143R

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機：

    13530520535

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

相近型號