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NGB8206ANSL3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB8206ANSL3G
廠商型號(hào)

NGB8206ANSL3G

參數(shù)屬性

NGB8206ANSL3G 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

功能描述

Ignition IGBT

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

129.57 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 19:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGB8206ANSL3G

  • 制造商:

    Littelfuse Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 4.5V,20A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    -/5μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,9A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
23+
TO263
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO263
32732
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO263
19000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
Littelfuse Inc.
2022+
D2PAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
ON
22+
TO263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
ON
23+
TO263
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
23+
D2PAK-3
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
ON
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
詢價(jià)
ON/LITTELFUSE
22+
TO-263
12500
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)