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NGTB40N120FL3WG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGTB40N120FL3WG
廠商型號

NGTB40N120FL3WG
參數(shù)屬性

NGTB40N120FL3WG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 1200V 160A TO247
功能描述

IGBT - Ultra Field Stop
IGBT 1200V 160A TO247
絲印標識

40N120FL3
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

316.44 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-4 13:00:00

NGTB40N120FL3WG規(guī)格書詳情

NGTB40N120FL3WG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGTB40N120FL3WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and

cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides

superior performance in demanding switching applications, offering

both low on?state voltage and minimal switching loss. The IGBT is

well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device

is a soft and fast co?packaged free wheeling diode with a low forward

voltage.

Features

? Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology

? TJmax = 175?C

? Soft Fast Reverse Recovery Diode

? Optimized for High Speed Switching

? These are Pb?Free Devices

Typical Applications

? Solar Inverter

? Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)

? Welding

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    NGTB40N120FL3WG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    1.6mJ（開），1.1mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    18ns/145ns

  • 測試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 160A TO247

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