首頁>NGTB50N120FL2WG>芯片詳情

NGTB50N120FL2WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGTB50N120FL2WG參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    NGTB50N120FL2WG

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    3

  • 產(chǎn)品封裝:

    N/A

  • 生產(chǎn)批號:

    兩年內(nèi)

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-30 17:03:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:NGTB50N120FL2WG品牌:ONSEMI

原裝現(xiàn)貨,實單價格可談

NGTB50N120FL2WG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的NGTB50N120FL2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    NGTB50N120FL2WG

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大小:

    112.33 kb

  • 資料說明:

    IGBT - Field Stop II

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NGTB50N120FL2WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    4.4mJ(開),1.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    118ns/282ns

  • 測試條件:

    600V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A 535W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳良洲科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    楊夢琪

  • 手機:

    19128244554

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-21010605

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1005、1007、1015號華強電子世界2號樓2層22C081