首頁(yè)>NGTB50N65S1WG>芯片詳情

NGTB50N65S1WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGTB50N65S1WG參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    NGTB50N65S1WG

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    26800

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-3P

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2223+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-30 17:56:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào):NGTB50N65S1WG品牌:ON/安森美

只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)

NGTB50N65S1WG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-247-3的NGTB50N65S1WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    NGTB50N65S1WG

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    159.78 kb

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT - Inverter Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NGTB50N65S1WG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,50A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.25mJ(開(kāi)),530μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    75ns/128ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH 650V 140A TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市英科美電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張先生

  • 手機(jī):

    15507502698

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-23903058

  • 傳真:

    0755-23905869

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟730