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NP100N04PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCiss:Ciss=4700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP100N04PUK-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description NP100N04PUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.3m?MAX.(VGS=10V,ID=50A) ?LowCissCiss=4700pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

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瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP100N04PUK-E1-AY

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述：

    SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZP - Tape and Reel

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NP100N04PUK-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:31:00

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