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NP33N06YDG	文件：230.35 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) ?LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP33N06YDG-E2-AY	文件：230.35 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) ?LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP33N075YDF	文件：231.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP33N075YDFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=1300pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Desi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP33N075YDF-E1-AY	文件：231.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP33N075YDFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=1300pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Desi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP33N075YDF-E2-AY	文件：231.76 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP33N075YDFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=1300pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Desi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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