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NP33N075YDF-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP33N075YDFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=1300pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Desi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP33N075YDF-E1-AY

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NP33N075YDF-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    33A(Tc)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Renesas Electronics America
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更多NP33N075YDF-E1-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 15:00:00