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NP35N04YLG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ?RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) ?Logicleveldrivetype ?Gateto

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更多NP35N04YLG-E1-AY供應商 更新時間2024-11-19 16:36:00

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