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NP36P06SLG-E1-AY

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance Ci

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P06SLG-E1-AY

-60V – -36A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30m?Max.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-18A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=32

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P06KDG

-60V–-36A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=29.5m?Max.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=37.5m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-18A) ?Lowinputcapacitance:Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P06KDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP36P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=29.5mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=37.5mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP36P06KDG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP36P06SLG

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP36P06SLG

-60V–-36A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=30m?Max.(VGS=-10V,ID=-18A) RDS(on)=40m?Max.(VGS=-4.5V,ID=-18A) ?Lowinputcapacitance:Ciss=32

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP36P06SLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheNP36P06SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=30mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?18A) RDS(on)2=40mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?18A) ?Lowinputcapacitance Ci

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP36P06SLG-E

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -60V -36A TO-252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas(瑞薩)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
9548
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
RENESAS/瑞薩
2021+
SOT-252
9450
原裝現(xiàn)貨。
 詢價
Renesas(瑞薩)
23+
原廠封裝
32078
10年以上分銷商,原裝進口件,服務(wù)型企業(yè)
 詢價
NEC
2024
TO-252
503102
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
 詢價
NEC
2018+
TO252
6528
只做原裝正品假一賠十!只要網(wǎng)上有上百分百有庫存放心
 詢價
RENESAS
23+
SOT-252
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS
2023+
SOT-252
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
NEC
22+
SOT-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
R
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多NP36P06SLG-E供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 10:00:00

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