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NP60N04VLK	文件：300.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP60N04VLK	文件：577.74 Kbytes Page：8 Pages	40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK	文件：336.41 Kbytes Page：8 Pages	N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK_V01	文件：577.74 Kbytes Page：8 Pages	40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK-E1-AY	文件：577.74 Kbytes Page：8 Pages	40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK-E2-AY	文件：577.74 Kbytes Page：8 Pages	40 V – 60 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description TheNP60N04VLKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.9m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Logicleveldrivetype ?Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP60N04VLK-E1-AY	文件：336.41 Kbytes Page：8 Pages	N-channel Power MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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NP60N04VUK	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.85mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP60N04VUK	文件：110.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP60N04VUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.85mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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YJD60N04A	文件：625.86 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE

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更多NP60N04VLK供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:36:00

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