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NP80N04MLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG-S18-AY	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG-S18-AY	文件：968.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested APPLICATIONS ?SynchronousRectification ?PowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04MLG_15	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04MLG-S18-AYNote	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
NP80N04NHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NLG	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MLG,NP80N04NLG,andNP80N04PLGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Built-ingateprotectiondiode ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MLG,NP80N04NLG RDS(on)1=4.8mΩMAX	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04NUG	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Nonlogiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Logiclevel ?Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG	文件：1.07376 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04PLG	文件：1.07463 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NP80N04PLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
NP80N04MLG
制造商：
RENESAS
制造商全稱：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NP80N04MLG	NEC	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	NP80N04MLG	NEC	23+	TO-220	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市晨豪科技有限公司	NP80N04MLG	RENESAS/瑞薩	23+	TO-220	89630	當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	NP80N04MLG	NEC	22+	TO-220	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳市星辰微電科技有限公司	NP80N04MLG	RENESAS/瑞薩	22+	TO-220	12500	瑞薩全系列在售,終端可出樣品	詢價(jià)
深圳市芯皇電子有限公司	NP80N04MLG	RENESAS/瑞薩	22+	TO-220	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu)	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	NP80N04MLG	NEC	24+	TO-TO-220	37650	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	NP80N04MLG-S18-AY	VB	21+	TO220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	NP80N04MLG-S18-AY	RENESAS(瑞薩)/IDT	23+	TO220	7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	NP80N04MLG-S18-AY		24+	N/A	57000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)

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