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NP80N055NHE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NP80N055NHE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) ?Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP80N055NHE-S18-AYNote1

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數

  • 型號:

    NP80N055NHE-S18-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESASELECTRONICSAMERICA
23+
TO-262
33000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-262
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-262
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價
NEC
TO-263
22+
6000
十年配單,只做原裝
詢價
NEC
23+
TO-263
6000
原裝正品,支持實單
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO-263
89630
當天發(fā)貨全新原裝現貨
詢價
NEC
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
詢價
更多NP80N055NHE-S18-AY供應商 更新時間2025-1-27 11:09:00