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NP82N04MUG-S18-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP82N04MUG-S18-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Nonlogiclevel ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?Highcurrentrating ID(DC)=±82A ?Lowi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多NP82N04MUG-S18-AYNOTE供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 11:00:00

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