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NP83P04PDG-E2-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP83P04PDG-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP83P04PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?41.5A) RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?41.5A) ?Highcurrentrating:I

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多NP83P04PDG-E2-AYNOTE供應(yīng)商 更新時間2025-5-4 13:30:00

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