NSS35200MR6T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：NSS35200MR6T1G品牌：ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品

NSS35200MR6T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商O(píng)N(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6的NSS35200MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

• 芯片型號(hào)：

  NSS35200MR6T1G

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  ON Semiconductor

• 中文名稱(chēng)：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  6 頁(yè)

• 文件大小：

  120.66 kb

• 資料說(shuō)明：

  35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor