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NTBG045N065SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 31mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=31m@VGS=18V Typ.RDS(on)=45m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=168pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(o

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多NTBG045N065SC1_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-18 9:55:00